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晶讯聚震：独特的单晶BAW滤波器技术，突破美日构建的专利技术壁垒

珠海晶讯聚震科技有限公司（中文简称：晶讯聚震，英文简称：CRT）于2017年07月在珠海市横琴新区成立，聚焦中高及超高频单晶FBAR滤波器的研发、制造与销售。晶讯聚震由行业领军人才Dror Hurvits创立，并联合业内专家组建一支国际化团队。凭借在材料科学和半导体器件工程领域持续的创新及知识产权积累，晶讯聚震突破了美国和日本大厂对于BAW/FBAR滤波器的专利和技术垄断。目前，晶讯聚震已获得了两轮由国内半导体公司、产业基金和上市公司的投资。近期，麦姆斯咨询有幸采访了晶讯聚震创始人Dror Hurvits，为大家揭秘射频滤波器领域的“希望之星”。

「专利解密」晶讯聚震新型FBAR射频滤波器助力5G市场

【嘉德点评】晶讯聚震所改进的FBAR滤波器，其空气腔体嵌入硅柄的二氧化硅层，能够大大提高滤波器的性能。随着5G的发展，该滤波器必将大规模应用于射频前端市场，发挥其性能优势。

晶讯发布中国首个自主知识产权单晶FBAR滤波器产品

近日，晶讯聚震科技有限公司(简称“晶讯/CRT”) 在珠海正式发布了其自主研制的B41 全频段FBAR滤波器（194MHz，5pin，尺寸1.4mm x 1.1mm x 0.7mm，支持 HPUE）及 B40 滤波器（100MHz，5pin，尺寸1.4mm x 1.1mm x 0.7mm，支持 HPUE），系中国首个自主知识产权单晶FBAR滤波器产品。

首发｜晶讯聚震获渶策资本领投B轮融资，布局5G高端滤波器领域

珠海晶讯聚震科技有限公司于2017年设立，是一家由行业领军人才、以色列技术专家及顶尖滤波器专家共同组建的国际化企业；也是国内唯一一家拥有十多项设计发明专利的完全自有知识产权高性能FBAR滤波器制造商。