技术创新
单晶掺杂POI晶圆
可提供从10nm到1000nm的基于绝缘层上的单晶压电外延
通过严格的应力控制获得优良一致性的K²eff
完整晶圆级薄膜转移工艺
最高可达35%的单晶掺钪氮化铝
厚度均方差小于1nm
先进封装
◼ 自有专利保护的超薄CSP封装-封装厚度可减少至0.4mm
◼ 自有专利晶圆级封装结合 Bump-on-Via 结构-既无TSV，也无RDL
◼ 极高环保特质的先进封装工艺- 具有SAW封装工艺的FBAR
◼ 超薄无芯基板-一流的叠层厚度控制
超级IDM
◼ 拥有自己的设计、前端工艺、后端工艺和RF测试团队。
◼ 自有fab厂制造单晶的晶圆片
◼ 自有设计、工艺和制程调控晶圆性能
◼ 拥有完整的全流程工艺技术
