近日，晶讯聚震科技有限公司(简称“晶讯/CRT”) 在珠海正式发布了其自主研制的B41 全频段FBAR滤波器（194MHz，5pin，尺寸1.4mm x 1.1mm x 0.7mm，支持 HPUE）及 B40 滤波器（100MHz，5pin，尺寸1.4mm x 1.1mm x 0.7mm，支持 HPUE），系中国首个自主知识产权单晶FBAR滤波器产品。

晶讯本次推出的FBAR滤波器具有完全自主知识产权，其独创的单晶掺杂压电材料和单晶薄膜电极技术，可重新定义FBAR谐振器和滤波器性能；同时，公司创新性发明一种全新的低成本晶圆级Bump-on-Via WLP封装技术，该封装技术不需要如目前美国和日本FBAR滤波器厂商所使用的硅通孔（TSV）、硅盖（Silicon Cap）及再布线层（RDL）。公司采用上述技术设计生产的SC-FBAR(Single Crystal FBAR)滤波器在支持高功率的同时可以缩小封装尺寸，拥有行业最薄的WLP封装、大带宽、高带外抑制以及低插损等优异性能。
 

据晶讯介绍，此次发布的B41、B40滤波器产品均不需要额外的外部匹配。另外，公司将于2020年三季度发布高性能5G n79滤波器、n77+n79同向双工器及一款低成本高性能的B3双工器；于2020年四季度发布B1+B3四工器（尺寸2.5mm x 2.0mm x 0.7mm）。上述设计生产的滤波器均采用FC-CSP或FC-Module结构及最新的无芯基板技术。

根据法国Yole Development报告预测，移动设备及WiFi连接部分整体射频前端市场规模将从2017年150亿美元增长到2023年350亿美元，年复合增长率达到14%。其中作为射频前端最大市场的滤波器从2017-2023年将增长3倍左右，复合增长率达到19%。目前射频滤波器芯片市场主要被Broadcom、Skyworks、Qorvo、村田等美日国际巨头垄断，国内自给率较低。随着以华为等为代表的国内手机厂商全球市场份额的提升，对于上游供应链的把控和国产替代需求将为国内射频前端芯片厂商提供广阔平台。

晶讯是行业领军人卓尔先生(Dror Hurvits)于2017年在珠海创立，并由行业领军人才及世界级技术专家共同组建的国际化企业；是国内唯一一家拥有多项美国专利的高性能FBAR滤波器IDM制造商。自公司成立以来，晶讯已经获得9项美国发明专利授权，另有19项美国及中国专利申请正在审批中；公司专利池涵盖滤波器设计、谐振器结构、封装方法及生产制造等环节；在未来的18个月内，晶讯专利数量将增加一倍。持续的创新及知识产权积累让晶讯突破了美国和日本公司对于BAW/FBAR滤波器的专利和技术垄断，也获得了国内领先的半导体公司、产业基金和上市公司的投资。

晶讯旨在成为全球高性能滤波器的领先供应商，突破美国及日本滤波器企业的垄断地位。在已经到来的5G时代，晶讯将为手机、模组、智能终端及小型基站客户提供世界级的高性能SC-FBAR滤波器、双工器和多工器。据悉，晶讯在天津用于研发及生产的先进制程中心（CRT-APC），是全球唯一拥有外延掺杂压电薄膜和电极薄膜能力的半导体工厂，并具备出色的量产Trimming能力。得力于中国大陆、中国台湾、韩国及日本等顶级材料供应商、设备制造商及代工厂的鼎力支持，晶讯目前6寸晶圆产能可达到1500片/月，并将于2020年下半年扩展至5000片/月。